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重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

商務(wù)部新聞發(fā)言人就中方針對美方再次提高對華關(guān)稅實施反制答記者問

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

天科合達申請在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導(dǎo)體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

華虹半導(dǎo)體申請集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

湖南三安半導(dǎo)體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

廣東巨風(fēng)半導(dǎo)體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

飛锃半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

長鑫存儲申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

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