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廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

中科新源半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體芯片升降溫用微射流換熱裝置”專利公布

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江西兆馳半導(dǎo)體取得用于藍寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

格力電器獲得發(fā)明專利授權(quán)：“IGBT模塊保護裝置、IGBT模塊及變頻器”

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

長園半導(dǎo)體設(shè)備取得芯片取料裝置和芯片生產(chǎn)系統(tǒng)專利，有效提高產(chǎn)品從膜片上取料的成功率

比亞迪半導(dǎo)體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質(zhì)和電子設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

華海清科“晶圓干燥裝置和晶圓干燥方法”專利公布

上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時破碎

北方華創(chuàng)“一種晶圓位置檢測裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

深圳市聯(lián)微半導(dǎo)體取得定位裝置專利，能夠具有較低的成本

北方華創(chuàng)“工藝配方的管理控制方法、裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

山東粵海金半導(dǎo)體取得專用碳化硅襯底Wafer倒角裝置專利，可實現(xiàn)自由設(shè)計倒角形狀

漢斯半導(dǎo)體取得一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置專利，拋光效率高

華海清科“驅(qū)動機構(gòu)的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質(zhì)”專利公布

江蘇集芯申請大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長速率相一致

武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利，去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

芯源微獲得發(fā)明專利授權(quán)：“晶圓搬運裝置及晶圓搬運方法”

武漢凡谷取得用于兩端面形狀不同的桿類部件的正反向識別輸送裝置專利

福建泓光半導(dǎo)體材料取得一種光刻膠自動過濾裝置專利，提高工作效率

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布

芯聚能 “功率模塊的封裝方法、裝置和功率模塊”專利獲授權(quán)

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