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北方華創(chuàng)擬4億元參股電控產(chǎn)投投資布局優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

華虹虹芯基金獨(dú)家投資半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備商大束科技

納微半導(dǎo)體推出全新SiCPAK?功率模塊

超高頻射頻毫米波雷達(dá)廠商江蘇銘芯先進(jìn)獲中匯金資本數(shù)千萬(wàn)元股權(quán)投資

鎵仁&浙大︱博士后招聘啟事

鎵仁半導(dǎo)體獲批浙江省博士后工作站

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級(jí)功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

CSE?City Walk丨光谷·車(chē)谷科技文化漫游之旅

時(shí)代電氣IGBT制氫電源設(shè)備累計(jì)交付突破100臺(tái)

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對(duì)拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級(jí)老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

捷捷微電：6英寸功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正處于產(chǎn)能爬坡期，月產(chǎn)出已達(dá)5萬(wàn)片

法國(guó)AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

工信部：將加快發(fā)布新一輪電子信息制造業(yè)穩(wěn)增長(zhǎng)行動(dòng)方案

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

CSE展邊會(huì)丨電動(dòng)汽車(chē)超充產(chǎn)業(yè)大會(huì)日程公布，免費(fèi)報(bào)名中

CSE展邊會(huì)丨寬禁帶半導(dǎo)體材料高峰論壇誠(chéng)邀參與

CSE同期活動(dòng)丨“武創(chuàng)薈”雙谷聯(lián)動(dòng)科技創(chuàng)新對(duì)接活動(dòng)誠(chéng)邀參與~

CSE展邊會(huì)丨推動(dòng)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)升級(jí)！2025第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)議程公布

CSE同期活動(dòng)丨科技與文化交融！湖北科技文化創(chuàng)新交流活動(dòng)即將啟幕

總投資5100余萬(wàn) 芯盟高等級(jí)功率半導(dǎo)體廠房竣工

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬(wàn)片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

納微GaNSafe?正式通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

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