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新品發(fā)布丨能訊半導體微波能2.4-2.5GHz 600W氮化鎵射頻功率放大器

日期:2023-03-17 閱讀:393
核心提示:3月17日,能訊半導體受邀參展2022 EDICON跨越中國深圳大會,活動現(xiàn)場能訊半導體重磅推出基于GaN的射頻微波能2.4-2.5GHz 600W產(chǎn)品

3月17日,能訊半導體受邀參展2022 EDICON跨越中國·深圳大會,活動現(xiàn)場能訊半導體重磅推出基于GaN的射頻微波能2.4-2.5GHz 600W產(chǎn)品解決方案。

過去十余年來,固態(tài)射頻微波能(Solid-state RF Energy)技術創(chuàng)新正為烹飪、CVD、醫(yī)療、高能物理、半導體、照明、汽車點火等眾多應用帶來巨大變革。相較于傳統(tǒng)的磁控管方案,GaN以優(yōu)越的特性支撐實現(xiàn)應用端的小型化和系統(tǒng)控制精準性與穩(wěn)定性的提高,而高效高可靠性的表現(xiàn)也為整機系統(tǒng)帶來更長的運行壽命以及更可觀的節(jié)能效應。能訊半導體致力于為行業(yè)客戶提供領先的GaN方案和技術支持,全力與合作伙伴共同打造基于GaN技術的Solid-state RF Energy生態(tài)環(huán)境。

基于2022年已發(fā)布的DOD1H2425-320EF(2.4-2.5G 300W),能訊半導體繼續(xù)推出新一代的DOD1H2425-600EF(2.4-2.5G 600W),實現(xiàn)高效、高功率和高可靠性的完美組合,進一步為合作伙伴在技術和成本上提供更具競爭力的解決方案。

01性能參數(shù)

DOD1H2425-320EF典型性能:

DOD1H2425-600EF典型性能:

除在常規(guī)的2450±15MHz下性能表現(xiàn)優(yōu)異之外,憑借獨特的設計,該產(chǎn)品可以在更大帶寬下使用,2450±50MHz實測Psat保持<0.3db的平坦度;

02封裝信息

針對微波能應用對于器件高效、高可靠性需求:

DOD1H2425-320EF采用陶瓷780封裝,尺寸20*9.4*4.2mm;

DOD1H2425-600EF采用陶瓷1230封裝,尺寸32*9.4*4.52mm;

03熱阻信息

針對微波能應用場景下連續(xù)波不間斷加載的特點,能訊半導體進行了熱阻特殊設計,實現(xiàn)適用于連續(xù)波應用的低器件熱阻特性,其中:DOD1H2425-320EF熱阻參考值:單side熱阻(FEA)為1.3°C/W。

DOD1H2425-600EF熱阻參考值:單side熱阻(FEA)為0.7°C/W。

04可靠性

DOD1H2425-320EF、DOD1H2425-600EF在200°C結(jié)溫下,其MTTF達到10^7小時,10倍于正常標準下的10^6小時,極大的提升了系統(tǒng)長期運行可靠性。

依托于自有晶圓廠以及完整的設計與封測能力,能訊半導體將繼續(xù)發(fā)揮綜合優(yōu)勢,持續(xù)推出包括2.4-2.5G更高功率、低頻(Sub-1.5GHz)高效超高功率系列在內(nèi)的新一代產(chǎn)品,敬請期待!

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