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CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會:面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)

日期:2025-05-07 閱讀:433
核心提示:5月22-24日, “2025功率半導體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。北京昕感科技(集團)副總,功率模塊事業(yè)部負責人李道會將受邀出席論壇,并分享《面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)》的主題報告,敬請關注!

 頭圖

功率半導體是能源轉換與傳輸的核心器件、電力電子裝置的“CPU”,隨著碳化硅全價值鏈:包括襯底材料-外延-芯片設計-芯片制造-模塊封裝-系統(tǒng)應用等的逐步成熟和提升,碳化硅作為動力之”芯片”成為推動電動汽車產業(yè)發(fā)展的核心技術之一。新能源車企,為滿足企業(yè)自身快速迭代需求,尋求高度定制化碳化硅SiC模塊或器件,改變原有開發(fā)模式。車規(guī)主驅應用對于碳化硅器件設計制造技術,以及碳化硅封裝技術的設計-工藝-材料-電性能及可靠性等方面提出了更具挑戰(zhàn)性的要求,需要碳化硅從業(yè)者面對挑戰(zhàn),與車企高度配合形成技術產品閉環(huán)。

5月22-24日, “2025功率半導體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟(CASA)指導,南京郵電大學、極智半導體產業(yè)網(www.jycsgw.cn)、第三代半導體產業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院(產教融合學院)、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協辦。 

會議設有開幕大會&主旨報告,以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用,超寬禁帶材料、器件及集成應用,功率集成交叉與應用,先進封裝與異構集成等4個平行論壇,將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。  

屆時,北京昕感科技(集團)副總,功率模塊事業(yè)部負責人李道會將受邀出席會議,并分享《面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)》的主題報告,敬請關注!

0507-李道會 

嘉賓簡介 

李道會畢業(yè)于清華大學電子系,2006年獲得英國倫敦大學瑪麗女王學院(QMUL)電子工程博士學位,之后在倫敦大學從事高能電磁學領域的研究工作;2013年初加入英國丹尼克斯功率半導體研發(fā)中心負責功率半導體封裝開發(fā)工作;2020年10月加入蔚來汽車,任功率半導體團隊負責人,高級總監(jiān),資深專家;2024年8月加入昕感科技,擔任北京昕感科技集團副總/功率模塊事業(yè)部負責人。在十幾年功率半導體領域工作期間發(fā)表國際期刊論文20余篇,國際會議論文50余篇,共撰寫和申請功率半導體領域的發(fā)明專利60余項。 

公司簡介 

昕感科技聚焦于功率半導體的技術突破創(chuàng)新與產品研發(fā)生產,面向光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網等市場提供擁有自主知識產權、卓越品質、高可靠性的功率半導體產品,包括功率器件、功率模塊、系統(tǒng)模組等。公司總部設立在北京,同時在上海、深圳、江陰等地設立研發(fā)中心與制造基地,構建了全面的產品技術服務支持網絡。

目前最新報告嘉賓公布,會議詳情如下:

會議時間:5月22-24日

會議酒店:中國·南京·熹禾涵田酒店

組織機構

指導單位:第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟(CASA)

主辦單位:南京郵電大學、極智半導體產業(yè)網(www.jycsgw.cn)、第三代半導體產業(yè)

承辦單位:南京郵電大學集成電路科學與工程學院(產教融合學院)、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協辦支持:電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席:郭宇鋒

聯合主席:柏松 張波 趙璐冰

程序委員會:盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任:姚佳飛

副主任:涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術

2.碳化硅功率器件與集成技術

碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

5.模組封裝與應用技術

功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術;制造、封裝、檢測及測試設備等

7.功率器件交叉領域

基于新材料(柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導體器件設計、制造與集成技術;人工智能驅動的功率器件仿真,建模與設計、封裝與測試

會議日程總覽

最新報告嘉賓

備注:以下為目前部分報告嘉賓和議題,不分先后!

張進成--西安電子科技大學副校長、教授

孫偉鋒--東南大學集成電路學院院長

唐為華--南京郵電大學教授、鎵和半導體董事長

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

喬明--電子科技大學教授

用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

TBD--英諾賽科科技有限公司

TBD--揚杰科技

王慶宇--新微半導體總經理 

氮化鎵賦能未來,突破功率極限,開啟能效革命

陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授

氧化鎵異質結構與器件

葉建東--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授

氧化鎵異質結構與器件

魏進--北京大學集成電路學院研究員

Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET

張宇昊 鞏賀賀--香港大學教授、博士后研究員

宋慶文--西安電子科技大學教授

面向功率器件制造的先進離子注入解決方案:集成工藝與創(chuàng)新

王鶴鳴--愛發(fā)科(蘇州)技術研究開發(fā)有限公司研究員

高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

黃森--中國科學院微電子研究所研究員

新能源時代半導體封測技術與趨勢

邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術中心負責人

功率器件封裝技術的發(fā)展及展望

朱正宇--熾芯微電子科技(蘇州)有限公司董事長&總經理

面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)

李道會--北京昕感科技(集團)副總,功率模塊事業(yè)部負責人

氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

周 峰--南京大學副研究員

氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

 

宣融--南京百識電子科技有限公司總經理

寬禁帶半導體3D集成技術

程新紅--中國科學院上海微系統(tǒng)研究所研究員

鄧小川--電子科技大學教授

劉盼--復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心副主任

施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師 

P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

彭燕--山東大學教授

High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation

張潔--西交利物浦大學芯片學院助理教授、本科專業(yè)負責人

1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs

劉超--山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授

GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications

朱昱豪--青海大學能源與電氣工程學院講師

Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors

郭高甫--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所

3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質p-n結二極管

章建國--中國科學院寧波材料技術與工程研究所博士

......更多報告嘉賓持續(xù)確認更新中

參會及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學等……

動參與:   

注冊費2800元,5月15日前注冊報名2500元(含會議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

繳費方式

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

②移動支付

移動支付

備注:通過銀行匯款/移動支付,請務必備注:單位簡稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預報名

掃碼報名

備注:此碼為預報名通道,完成信息提交后,需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢:

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯系:

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx    文章擇優(yōu)推薦到EI期刊《半導體學報(英文)》。 

會議酒店

南京熹禾涵田酒店

協議價格:標間&大床房,400元/晚,含早餐

地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號

郵箱:503766958@qq.com

酒店聯系人

陸經理 15050562332  025-58628888

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