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京東方華燦GaN電力電子突破:消費(fèi)級可靠性1000H突破,工業(yè)級JEDEC蓄勢待發(fā)

日期:2025-05-22 閱讀:256
核心提示:在GaN功率器件場景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期,京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點(diǎn),正式開啟消費(fèi)級普及、工業(yè)級深化

 在GaN功率器件場景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期,京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點(diǎn),正式開啟“消費(fèi)級普及、工業(yè)級深化、車規(guī)級突破”的三級躍遷戰(zhàn)略。作為全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)先驅(qū),我們以標(biāo)準(zhǔn)化能力為根基,以IDM全鏈創(chuàng)新為引擎,為全球客戶提供覆蓋全場景的“中國芯”解決方案。

 

技術(shù)突破:器件通過1000H可靠性認(rèn)證,JEDEC認(rèn)證服務(wù)消費(fèi)市場:奠定標(biāo)準(zhǔn)化基石 

近期,京東方華燦650V 產(chǎn)品平臺通過1000H可靠性認(rèn)證. 

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)全覆蓋:京東方華燦消費(fèi)類GaN功率器件將全面進(jìn)行JEDEC認(rèn)證,以工業(yè)類標(biāo)準(zhǔn)覆蓋消費(fèi)類需求,為快充、適配器等場景提供“即插即用”的標(biāo)準(zhǔn)化解決方案。 

全鏈條協(xié)同:京東方華燦作為氮化鎵IDM企業(yè),在多個角度協(xié)同促進(jìn)競爭力進(jìn)一步提升:

外延:京東方華燦基于自主研發(fā)的GaN外延結(jié)構(gòu),器件的橫向BV從1400V提升至2000V+,有效提高器件可靠性裕量;并已經(jīng)開啟1200V GaN的產(chǎn)品技術(shù)儲備 

工藝線:隨著流片通量提高,制造穩(wěn)定性,產(chǎn)品良率不斷提升,進(jìn)一步保障批量出貨能力 

器件:1000H可靠性通過驗(yàn)證,繼續(xù)進(jìn)行JEDEC認(rèn)證。此外已經(jīng)針對現(xiàn)有平臺開啟產(chǎn)品組合完善布局;并已經(jīng)啟動下下一代平臺的技術(shù)儲備,以進(jìn)一步縮小尺寸,提高單片產(chǎn)出,優(yōu)化良率,提高產(chǎn)品競爭力。 

測試能力:為全面覆蓋市場上GaN功率器件的測試需求,京東方華燦建立了動態(tài)測試和可靠性實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)室能夠快速響應(yīng)各類測試要求,提供高效的測試機(jī)理分析支持。 

品質(zhì)體系:通過加強(qiáng)研發(fā)質(zhì)量和過程質(zhì)量管控,我們已逐步形成從產(chǎn)品研發(fā)到量產(chǎn)交付的全過程質(zhì)量保障能力。同時(shí),通過檢驗(yàn)流程、測試標(biāo)準(zhǔn)和硬件平臺的建成與持續(xù)優(yōu)化,我們確保向客戶交付高質(zhì)量產(chǎn)品

 

京東方華燦致力于成為全球化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新引領(lǐng)者,在GaN功率器件從“技術(shù)競賽”轉(zhuǎn)向“場景落地”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)折點(diǎn),京東方華燦以消費(fèi)級器件的1000H可靠性通過為支點(diǎn),持續(xù)突破技術(shù)邊界與市場邊界。未來,我們將以“消費(fèi)-工業(yè)-車用”三級躍遷戰(zhàn)略為錨點(diǎn),讓每一瓦電能更高效、更清潔、更可靠地服務(wù)人類文明。

 (來源:京東方華燦光電)

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