日前，株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林在投資者活動中透露，株洲三期于2024年11月份啟動建設，2025年5月主體廠房封頂，預計2025年下半年啟動設備搬入，2025年底有望實現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項目為8英寸SiC晶圓。
此外，株洲中車還擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。
技術方面，株洲中車第三代精細平面柵SiC產(chǎn)品已定型，技術水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵設計定型，達行業(yè)先進水平，并且對第五代SiC技術完成布局。目前SiC重點產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業(yè)。
