日前，株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林在投資者活動中透露，株洲三期于2024年11月份啟動建設(shè)，2025年5月主體廠房封頂，預(yù)計2025年下半年啟動設(shè)備搬入，2025年底有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通，該項目為8英寸SiC晶圓。

此外，株洲中車還擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

技術(shù)方面，株洲中車第三代精細(xì)平面柵SiC產(chǎn)品已定型，技術(shù)水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵設(shè)計定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，并且對第五代SiC技術(shù)完成布局。目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC  MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵 SiC  MOSFET性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。