國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基半導體激光器元件”的專利，公開號CN120262170A，申請日期為2025年04月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種氮化鎵基半導體激光器元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述上限制層上方具有光場局域化層，所述光場局域化層包括第一光場局域化層、第二光場局域化層和第三光場局域化層。本發(fā)明通過特定設計的極性光學聲子能量分布、特定設計的輻射復合系數(shù)分布、特定設計的折射率系數(shù)分布形成任意對稱性和扭曲角的光子莫爾超晶格，構(gòu)建光子晶格間的長距離耦合，形成寬帶光捕獲的二維等離激元，誘導激光光場局域化，增強光學手性和光子水平定向能帶激射，降低激光元件的光吸收內(nèi)損耗，提升限制因子。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本8505.7882萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，安徽格恩半導體有限公司共對外投資了1家企業(yè)，參與招投標項目4次，財產(chǎn)線索方面有商標信息2條，專利信息482條，此外企業(yè)還擁有行政許可12個。