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CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠邀全球英才加盟

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進(jìn)展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進(jìn)展

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

CSE展邊會(huì)丨推動(dòng)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)升級(jí)！2025第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)議程公布

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

Allegro MicroSystems 攜新型 XtremeSense? TMR 電流傳感器亮相慕尼黑上海電子展

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

美國海關(guān)宣布對消費(fèi)電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項(xiàng)商品豁免關(guān)稅

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出毫秒級(jí)可集成量子存儲(chǔ)器

國內(nèi)首個(gè)！中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院研發(fā)金剛石氮空位色心微波激射器

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

廣東省工信廳：加快打造全球人工智能與機(jī)器人發(fā)展高地

總投資約5億元，睿寶高端半導(dǎo)體設(shè)備真空檢測儀器及傳感器項(xiàng)目6月投用

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實(shí)現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級(jí)4H-SiC紫外光電探測器

復(fù)旦大學(xué)褚君浩/王建祿/黃海課題組Nat. Commun.：基于勢壘調(diào)控的新型紫外光電探測器

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測器研究中取得新進(jìn)展

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

《2025電視問政》聚焦科技創(chuàng)新：加快AI、人形機(jī)器人等未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展

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