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標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

碳化硅外延供應(yīng)商瀚天天成沖刺港交所

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺(tái)助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長(zhǎng)的（001）β-Ga2O3外延層

助力科技中國(guó)戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施

西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片廠房建設(shè)完成，設(shè)備購(gòu)置將在3月收官

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

總投資12.3億元，立昂微年產(chǎn)96萬(wàn)片12英寸硅外延片項(xiàng)目落地

新微半導(dǎo)體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)及其校驗(yàn)方法”專利公布

總投資12.3億，立昂微年產(chǎn)96萬(wàn)片12英寸硅外延片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶

突破！國(guó)產(chǎn)SiC外延設(shè)備首次大規(guī)模發(fā)貨！

北大楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化鎵外延材料中位錯(cuò)的原子級(jí)攀移動(dòng)力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠(yuǎn)程外延晶體鈣鈦礦

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工

全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開(kāi)工

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會(huì)召開(kāi)

天域半導(dǎo)體取得水平氣流SiC外延設(shè)備石英鐘罩內(nèi)壁清潔工具專利，能夠保證石英鐘罩的清潔效果符合爐膛反應(yīng)需求

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

北京智慧能源研究院SiC外延片公開(kāi)招標(biāo)采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究

中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機(jī)電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國(guó)內(nèi)頭部封裝客戶

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售

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