近日，備受矚目的第31屆半導(dǎo)體年度獎(jiǎng)（Semiconductor of the Year 2025）頒獎(jiǎng)典禮在日本東京舉行。中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)——山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，榮獲由日本權(quán)威半導(dǎo)體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導(dǎo)體電子材料”類(lèi)金獎(jiǎng)。
這是中國(guó)企業(yè)在該獎(jiǎng)項(xiàng)設(shè)立31年以來(lái)的首次問(wèn)鼎，也是該獎(jiǎng)項(xiàng)歷史上首次將最高榮譽(yù)授予碳化硅襯底材料技術(shù)，標(biāo)志著中國(guó)在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國(guó)新一代半導(dǎo)體材料技術(shù)的國(guó)際領(lǐng)先地位。
再獲行業(yè)高含金量權(quán)威認(rèn)證
半導(dǎo)體年度獎(jiǎng)由日本最具公信力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專(zhuān)業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設(shè)備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，其獎(jiǎng)項(xiàng)以嚴(yán)苛的評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)和極高的行業(yè)權(quán)威性著稱(chēng)。在歷屆獲獎(jiǎng)企業(yè)名單中，英偉達(dá)、索尼、美光等國(guó)際產(chǎn)業(yè)巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的?？?。天岳先進(jìn)作為31年來(lái)首家獲此殊榮的中國(guó)企業(yè)，成功躋身這一由全球頂尖公司組成的行列，不僅是國(guó)際上對(duì)天岳先進(jìn)在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域獲得的成就的高度肯定，更是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體實(shí)力躍升的又一里程碑。
襯底技術(shù)鑄就創(chuàng)新標(biāo)桿
在電子材料領(lǐng)域，歷年金獎(jiǎng)得主無(wú)一不是掌握核心專(zhuān)利、主導(dǎo)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的全球行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。天岳先進(jìn)此次獲獎(jiǎng)，是碳化硅襯底技術(shù)首度獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的垂青，凸顯了半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)演進(jìn)方向，也是業(yè)內(nèi)對(duì)天岳先進(jìn)在碳化硅襯底這一核心基礎(chǔ)環(huán)節(jié)不懈探索和新突破的高度認(rèn)可。
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術(shù)直接決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應(yīng)用的普及度，是支撐新能源汽車(chē)、特高壓輸電、5G／6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。天岳先進(jìn)此次歷史性獲獎(jiǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力，源于其長(zhǎng)期聚焦于碳化硅襯底材料技術(shù)，并在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破。長(zhǎng)期以來(lái)，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術(shù)壁壘極高，是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。面對(duì)挑戰(zhàn)，天岳先進(jìn)長(zhǎng)期深耕襯底材料研發(fā)，通過(guò)技術(shù)攻堅(jiān)與產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)，成功實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)追趕到國(guó)際并跑再到關(guān)鍵領(lǐng)域引領(lǐng)的跨越。據(jù)悉，其在材料晶體生長(zhǎng)、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進(jìn)展，不僅攻克了大尺寸化等世界級(jí)難題，更在材料性能上達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平，成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的創(chuàng)新標(biāo)桿。
中國(guó)半導(dǎo)體材料加快崛起
當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正經(jīng)歷深刻調(diào)整。天岳先進(jìn)憑借在襯底材料技術(shù)上的深厚積累、持續(xù)突破與先發(fā)優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。此次榮獲半導(dǎo)體年度獎(jiǎng)金獎(jiǎng)，不僅是天岳先進(jìn)發(fā)展歷程中的重要里程碑，更是中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新道路上的一個(gè)縮影。天岳先進(jìn)的發(fā)展歷程，有力證明了中國(guó)企業(yè)在突破半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域所具備的創(chuàng)新能力。
隨著第三代半導(dǎo)體在“雙碳”戰(zhàn)略與數(shù)字經(jīng)濟(jì)浪潮中迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，天岳先進(jìn)有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，將以此次金獎(jiǎng)為新起點(diǎn)，加速構(gòu)建覆蓋研發(fā)、量產(chǎn)到應(yīng)用的全球核心競(jìng)爭(zhēng)力，為未來(lái)科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入澎湃中國(guó)動(dòng)能。
（來(lái)源：魯網(wǎng)）
