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CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

吉利汽車宣布將與極氪完全合并，極氪擬從紐交所退市

又一認可！藍凌企業(yè)大腦·藍博士LanBots榮獲半導(dǎo)體數(shù)字化行業(yè)優(yōu)秀產(chǎn)品

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目封頂

科卓半導(dǎo)體完成7000萬元A輪融資

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

長川科技合資成立長越科技推進高端封測設(shè)備國產(chǎn)化

富士膠片計劃在印度建設(shè)半導(dǎo)體材料工廠

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會將在廣州南沙舉辦

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

華測導(dǎo)航：車規(guī)級產(chǎn)品累計交付數(shù)量已突破30萬套

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

最新報告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

年產(chǎn)值8億元，這一激光項目一期主體結(jié)構(gòu)封頂！

CSPSD 2025前瞻|北京大學魏進：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

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AMD：美國對華芯片出口限制將導(dǎo)致2025年收入損失15億美元

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CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學周賢達：功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)

CSPSD 2025前瞻|通富微電邢衛(wèi)兵：新能源時代半導(dǎo)體封測技術(shù)與趨勢

華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目完成生產(chǎn)設(shè)備搬入調(diào)試預(yù)計6月份正式投產(chǎn)

星曜半導(dǎo)體正式收購韓國威盛(Wisol)天津封測工廠

意見征集 | 中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標準形成征求意見稿

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