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瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

重慶萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請(qǐng)新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利

天科合達(dá)申請(qǐng)在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請(qǐng)一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請(qǐng)一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場(chǎng)圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

上海光通信申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實(shí)現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

北方華創(chuàng)申請(qǐng)工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)功率器件及相關(guān)專利，降低功耗

提交申請(qǐng)，寧德時(shí)代赴港上市！

北京航天賽德申請(qǐng)氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

成都士蘭半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請(qǐng)光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

上海天岳申請(qǐng)一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請(qǐng)寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

奔馳車標(biāo)制造商申請(qǐng)破產(chǎn) 歐洲汽車產(chǎn)業(yè)危機(jī)蔓延

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

華為申請(qǐng)碳化硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

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