在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向第三代半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵時期，晶升股份作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體專用設(shè)備供應(yīng)商，始終專注于晶體生長設(shè)備的研發(fā)與創(chuàng)新。公司以大尺寸半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐為核心，持續(xù)向襯底加工設(shè)備及外延生長設(shè)備延伸，構(gòu)建了覆蓋碳化硅材料制備關(guān)鍵環(huán)節(jié)的裝備解決方案，為行業(yè)提供高精度、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體設(shè)備。 

從單點突破到全鏈覆蓋  技術(shù)創(chuàng)新的跨越式發(fā)展

晶升股份的碳化硅晶體生長設(shè)備為核心業(yè)務(wù)之一，公司敏銳洞察到客戶對襯底材料“提質(zhì)降本”的核心訴求，積極推動技術(shù)鏈延伸，構(gòu)建了從碳化硅粉料合成、晶體生長、晶錠加工到外延生長的全流程設(shè)備供應(yīng)能力，為客戶提供一站式、高效率、高可靠性的裝備支持，助力碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程。 

粉料合成設(shè)備

開發(fā)高純度、低缺陷的碳化硅粉料制備技術(shù)，從源頭保障材料質(zhì)量。適用于高品質(zhì)碳化硅合成；最大裝料量達100KG，顯著提升合成效率。

晶體生長設(shè)備

優(yōu)化高溫長晶爐的溫場控制與生長速率，提升晶體良率和尺寸（覆蓋6英寸至12英寸）。

晶錠加工設(shè)備

創(chuàng)新切割、研磨、拋光工藝，解決碳化硅硬度高、加工難度大的痛點。

外延生長設(shè)備

實現(xiàn)均勻性高、缺陷率低的外延生長，滿足功率器件與射頻器件的嚴苛要求。

（來源：晶升股份）