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突發(fā)!美國EDA制造商或停止對華供貨!
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2025-05-29 08:55
國產(chǎn)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體,遞表港交所!
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2025-05-28 08:36
中國批準向韓國企業(yè)出口稀土
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2025-05-27 09:00
標準 |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布
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2025-05-26 14:18
美國芯片四巨頭呼吁特朗普政府免除半導(dǎo)體關(guān)稅
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2025-05-26 10:12
CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來!
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2025-05-24 16:20
CSPSD2025 | 二十余位專家學者共話硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件新進展!
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2025-05-24 16:03
CSA聯(lián)盟參加 "汽車產(chǎn)業(yè)新材料與跨領(lǐng)域合作交流會"
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2025-05-23 19:16
CSA聯(lián)盟秘書長阮軍受邀參加2025年國際汽車新材料大會并主持智能顯示新材料分會
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2025-05-23 19:14
TCL與阿里云達成全棧AI戰(zhàn)略合作,打造半導(dǎo)體顯示“最強大腦”
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2025-05-23 19:06
2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD2025)在南京盛大召開
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2025-05-23 18:00
新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議并發(fā)表主旨演講
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2025-05-23 15:48
中國半導(dǎo)體2025下半場:四大領(lǐng)域分化突圍
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2025-05-22 18:19
成都高新區(qū)微波射頻產(chǎn)業(yè)園(西區(qū))開建
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2025-05-22 18:09
CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏:氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究
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2025-05-21 18:38
開幕在即 | 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)5月22-24日南京見!
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2025-05-20 14:37
標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿
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2025-05-20 14:08
標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿
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2025-05-20 13:54
標準 | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布
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2025-05-20 13:47
浙江12英寸CMOS二期項目建設(shè)迎新進展
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2025-05-20 10:24
美國商務(wù)部調(diào)整芯片出口管制,中方回應(yīng)
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2025-05-20 10:13
CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學陳靜:智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計
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2025-05-20 09:35
CSPSD 2025前瞻|上海大學任開琳:E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究
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2025-05-19 11:02
2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會在廣州南沙成功舉辦
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2025-05-19 10:14
CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行:碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進展
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2025-05-19 10:06
CSPSD 2025前瞻|超芯星邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”
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2025-05-16 16:39
CSPSD 2025前瞻|鎵和半導(dǎo)體邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”
評論 ?
2025-05-16 11:35
CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”
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2025-05-16 11:29
CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”
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2025-05-16 11:21
CSPSD 2025前瞻|揚杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議”
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2025-05-16 11:08
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