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CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁俊:新型多級(jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究
評(píng)論 ?
2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬:集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-12 13:41
CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科:低成本GaN基GaN功率器件
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:11
CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇:破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來(lái)產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元
評(píng)論 ?
2025-05-12 11:03
中美達(dá)成重要共識(shí),5月12日發(fā)布聯(lián)合聲明
評(píng)論 ?
2025-05-12 08:32
特朗普:對(duì)華關(guān)稅145%到頂了,要降
評(píng)論 ?
2025-05-09 19:16
CSPSD 2025前瞻| 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所程新紅:寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-05-09 11:40
CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷:GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討
評(píng)論 ?
2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文:高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-05-09 10:15
AI驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新,從材料/器件到EDA/設(shè)備的多維探索
評(píng)論 ?
2025-05-09 09:26
CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉:高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究
評(píng)論 ?
2025-05-08 16:26
CSPSD 2025前瞻|濟(jì)南大學(xué)張春偉:場(chǎng)板技術(shù)中的電場(chǎng)調(diào)制機(jī)制:基于電荷的視角
評(píng)論 ?
2025-05-08 10:43
會(huì)議通知 | 2025第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇
評(píng)論 ?
2025-05-08 10:35
九峰山實(shí)驗(yàn)室2025技術(shù)服務(wù)體系發(fā)布
評(píng)論 ?
2025-05-08 09:43
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍:P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法
評(píng)論 ?
2025-05-08 09:40
江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件
評(píng)論 ?
2025-05-07 17:34
富士膠片計(jì)劃在印度建設(shè)半導(dǎo)體材料工廠
評(píng)論 ?
2025-05-07 15:21
CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰:氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究
評(píng)論 ?
2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東:氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件
評(píng)論 ?
2025-05-07 15:06
2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)將在廣州南沙舉辦
評(píng)論 ?
2025-05-07 15:00
CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇:氮化鎵賦能未來(lái),突破功率極限,開啟能效革命
評(píng)論 ?
2025-05-07 14:47
CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴:面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新
評(píng)論 ?
2025-05-07 14:38
意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿
評(píng)論 ?
2025-05-07 11:32
CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì):面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)
評(píng)論 ?
2025-05-07 11:07
最新報(bào)告嘉賓公布!2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD2025)
評(píng)論 ?
2025-05-07 10:31
CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn):GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓
評(píng)論 ?
2025-05-07 10:04
西湖大學(xué)光電研究院仇旻當(dāng)選歐洲科學(xué)院院士
評(píng)論 ?
2025-05-07 10:00
CSPSD 2025前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá):功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)
評(píng)論 ?
2025-05-06 18:33
CSPSD 2025前瞻|通富微電邢衛(wèi)兵:新能源時(shí)代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)與趨勢(shì)
評(píng)論 ?
2025-05-06 18:31
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