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羅姆碳化硅 MOSFET 裸芯片獲豐田 bZ5 電動汽車牽引逆變器應(yīng)用

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺積電計劃 2027 年退出氮化鎵：暫無重大影響

研微半導(dǎo)體完成A輪首批數(shù)億元融資，累計融資額近10億

港科大與比亞迪成立具身智能聯(lián)合實(shí)驗室

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

晶盛機(jī)電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

【年薪可達(dá)50萬】廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組2025年誠聘博士后（理論計算模擬方向）

加速智能化！國星光電推出超薄高耐壓光耦新品

國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實(shí)施方案論證會召開

四部門：加快高壓碳化硅模塊、主控芯片等核心器件國產(chǎn)化替代

北方華創(chuàng)發(fā)布12英寸先進(jìn)低壓化學(xué)氣相硅沉積立式爐設(shè)備

總投資20億元，廈門路維光電有高世代高精度光掩膜項目奠基

深圳出臺10條舉措促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺積電證實(shí)：未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

晶合集成獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種半導(dǎo)體芯片的測試裝置”

武漢敏聲發(fā)布新款濾波器

揚(yáng)杰科技調(diào)整收購方案擬現(xiàn)金收購貝特電子股權(quán)

永太科技等被天賜材料起訴索賠8.88億元，永太科技訴天賜材料名譽(yù)侵權(quán)要求賠償近5752萬元

證實(shí)美國解除對華出口限制！新思科技恢復(fù)對華EDA銷售

投資10億！天岳先進(jìn)8英寸碳化硅項目獲批

東湖高新區(qū)與華中科技大學(xué)簽署深化戰(zhàn)略合作協(xié)議

受益DRAM復(fù)蘇和AI芯片熱潮，三星電子重啟220億美元晶圓廠項目

廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入

富士康將超300名中國大陸員工撤出印度iPhone工廠

西門子稱美國已解除對華芯片設(shè)計軟件限制

新增！芯特思半導(dǎo)體總部及研發(fā)制造基地項目

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