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標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

我國(guó)科研人員“以柔克剛”填補(bǔ)微型LED晶圓無(wú)損測(cè)試技術(shù)空白

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標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見(jiàn)稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測(cè)試方法發(fā)布

意見(jiàn)征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

總投資10億元，杭州芯光半導(dǎo)體集成電路先進(jìn)測(cè)試產(chǎn)線項(xiàng)目簽約富陽(yáng)

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免費(fèi)報(bào)名中！4月22日九峰山實(shí)驗(yàn)室＆是德科技聯(lián)合舉辦芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)

標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯(cuò)密度/吸收系數(shù)2項(xiàng)測(cè)試方法形成委員會(huì)草案

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免費(fèi)報(bào)名| 是德科技芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)邀您參加！——CSE2025同期活動(dòng)

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偉測(cè)科技擬13億元投建南京二期測(cè)試項(xiàng)目，擴(kuò)大高端芯片測(cè)試產(chǎn)能

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