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2023前瞻|?德智新材：半導(dǎo)體設(shè)備用SiC零部件開發(fā)及應(yīng)用
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2023-04-28 13:49
【
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2021】蘇州能訊高能半導(dǎo)體Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射頻GaN晶體管模型、趨勢和挑戰(zhàn)
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2021-09-18 17:55
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CASICON
2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計
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2021-09-18 17:26
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CASICON
2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)
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2021-09-18 14:00
【
CASICON
2021】中電科十三所郭建超：金剛石微波功率器件研究
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2021-09-18 11:42
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CASICON
2021】蘇州晶湛半導(dǎo)體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術(shù)進(jìn)展
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2021-09-17 16:39
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CASICON
2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及 電阻開關(guān)特性研究
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2021-09-17 16:33
【
CASICON
2021】安徽芯塔電子科技倪煒江：高性能高壓SiC器件設(shè)計與技術(shù)
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2021-09-17 16:12
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CASICON
2021】奧趨光電吳亮：AlN/AlScN材料制備技術(shù)及其在5GRFFE濾波及功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景展望
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2021-09-17 15:58
【
CASICON
2021】中電科五十五所劉強(qiáng)：碳化硅MOSFET技術(shù)問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
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2021-09-17 15:28
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CASICON
2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)
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2021-09-16 14:54
【
CASICON
2021】廈門大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
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2021-09-16 14:44
【
CASICON
2021】唐晶量子龔平：6 inch GaAs基VCSEL和射頻外延技術(shù)
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2021-09-16 14:32
【
CASICON
2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性
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2021-09-16 11:56
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CASICON
2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)
評論 ?
2021-09-16 11:53
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CASICON
2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展
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2021-09-16 11:46
【
CASICON
2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化研究
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2021-09-16 11:32
【
CASICON
2021】西交利物浦大學(xué)劉雯：硅基GaN MIS-HEMT單片集成技術(shù)
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2021-09-16 11:29
【
CASICON
2021】南京航空航天大學(xué)張之梁：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應(yīng)用
評論 ?
2021-09-16 11:17
CASICON
2021：2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會最新看點(diǎn)
CASICON
2021
南京功率
射頻半導(dǎo)體
技術(shù)市場
應(yīng)用峰會
第三代半導(dǎo)體
氮化鎵
碳化硅
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2021-09-15 18:04
【
CASICON
2021】青島聚能創(chuàng)芯劉海豐：面向快充應(yīng)用的GaN材料和器件技術(shù)
評論 ?
2021-09-15 16:50
【
CASICON
2021】愛發(fā)科左超：量產(chǎn)高性能功率與射頻器件的 ULVAC裝備技術(shù)
評論 ?
2021-09-15 15:59
【
CASICON
2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究
評論 ?
2021-09-15 15:48
【
CASICON
2021】南京大學(xué)陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進(jìn)展
評論 ?
2021-09-15 15:48
【
CASICON
2021】電子科技大學(xué)鄧小川：極端應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET的動態(tài)可靠性研究
評論 ?
2021-09-15 15:20
【
CASICON
2021】中科院上海微系統(tǒng)研究所鄭理：SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)
評論 ?
2021-09-15 15:18
【
CASICON
2021】美國弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：超過SiC限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
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2021-09-14 10:40
【
CASICON
2021】第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山：中國功率與射頻技術(shù)市場現(xiàn)狀及未來展望
CASICON
2021
第三代半導(dǎo)體
聯(lián)盟秘書長
于坤山
功率
射頻技術(shù)
市場現(xiàn)狀
未來展望
評論 ?
2021-09-14 10:39
【
CASICON
2021】啟迪半導(dǎo)體鈕應(yīng)喜：碳化硅外延裝備及技術(shù)進(jìn)展
評論 ?
2021-09-14 10:36
【
CASICON
2021】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件
評論 ?
2021-09-14 10:32
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